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产品名称:高纯铝靶(Al靶)

纯度:99.999%-99.9995%

晶粒：<100um

尺寸规格:按客户要求

高纯铝靶的应用:

在制造集成电路芯片时阴极溅射是一道必不可少的工艺，这是一种特殊的高技术工艺，蒸发的呈等离子状态的铝沉积于阴极靶面，即在硅片上形成一层薄薄的均匀的极少缺陷的铝膜，随后在膜上涂一层感光性树脂，经曝光后除去无用的部位即未感光的树脂，也就是把这些处的树脂腐蚀掉，而保留的极窄的铝条便是所需的导电体。阴极溅镀用的铝越纯，其电导率也就越高超高纯铝的另一重要用途是作为集成电路的配线。超高纯铝中的痕量杂质铀与钍是越少越好，因为它们是放射性元素，在时时释放α粒子，从而造成集成电路出现故障，使程序失误与混乱。惠州拓普生产的5N2高纯铝中U+Th<5ppb（wt%）,5N5超高纯铝中U+Th<1ppb（wt%）。5N及5N5的大尺寸板状靶材，大规模应用于PDP及TFT-LCD平板显示器，太阳能电池镀膜用溅射靶材。板靶原材料中Fe、Si、Cu、V、Ti等杂质完全符合相应标准。在超导领域，超高纯铝用作超导电缆的稳定化材料。在电子领域5N超纯铝用于制造光电子存储媒体，如CD、CD-ROM、CD-RW、数据盘或微型盘、DVD银盘等，在银盘中用5N超纯铝溅射膜作为光反射层。超纯铝中的杂质含量极少。杂质含量极少使得超纯铝具有一些特殊的性能优点典型的性能特点1．不纯物元素含量极低。杂质元素含量越低，金属间化合物密度越小2．导电性能良。3RRR值高，在极低温区的电阻非常小。3．光反射性能非常强，对紫外线有很高的反射率！　　


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