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检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流***1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度***150℃； 电压***2000V 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度***150℃； 电压***2000V 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度***150℃ 电压***2000V 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度***-80℃ 电压***2000V 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度***150℃； 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温储存试验（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度***-80℃ 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温高湿试验（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度***180℃ 湿度范围：10%~98% 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高低温循环试验（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围：-80℃~220℃ 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流***48V，10A 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
稳态功率试验（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流***48V，10A 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高加速应力试验（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*无偏压的高加速应力试验（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温蒸煮试验（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度100% 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
预处理试验（Pre-con） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*可焊性试验（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美***，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
| 规格： |
100 |
| 数量： |
100 |
包装： |
| 日期： |
2020-08-24 |
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