检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
直流参数 MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； 检测***电压：7500V 检测***电流：6000A 国标，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 检测***电压：2500V 检测***电流：200A 美***
栅极电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； 检测***电压：1200V 检测***电流：200A 美***，国标，IEC等
开关时间 IGBT等模块产品 检测***电压：2700V 检测***电流：4000A 国标，IEC
反向恢复 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测***电压：1200V 检测***电流：200A 美***，国标，IEC等
反向恢复 IGBT等模块产品 检测***电压：2700V 检测***电流：4000A 国标，IEC
栅极电荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测***电压：1200V 检测***电流：200A 美***，国标，IEC等
栅极电荷 IGBT等模块产品 检测***电压：2700V 检测***电流：4000A 国标，IEC
| 规格： |
100 |
| 数量： |
100 |
包装： |
| 日期： |
2020-12-07 |
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