SIC碳化硅器件参数测试仪 功能及主要参数: 适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
品牌: 华科智源 名称: SIC动态参数测试仪 型号: HUSTEC-3000 用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试
产品详情 功能及主要参数: 适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。 主要技术参数: IGBT开关特性测试 开关时间测试条件 Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接) 负 载:感性负载阻性负载可切换 电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH 电阻范围:0.5R、1R、2R、4R IGBT开关特性测试参数 开通延迟td(on): 20nS -10uS 上升时间tr: 20nS -10uS 开通能量Eon: 0.1-1000mJ 关断延迟时间td(off):20 nS -10uS 下降时间 tf: 20nS -10uS 关断能量Eoff:0.1-1000mJ 二极管反向恢复特性测试 FRD测试条件:正向电流IF:50A~1000A;反向电压 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;负载:感性负载可选 电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH FRD测试参数 反向恢复时间trr:20nS -2uS 反向恢复电荷Qc:10nC~10uC; 反向恢复电流Irm:50A~1000A 反向恢复损耗Erec:0.1mJ~1000mJ 产品优势 国内***能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。
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2023-05-22 |
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