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西安长禾半导体技术-167.net必赢(中国)官方网站·App Store功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是***CNAS 认可实验室，属于***大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、***院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
长禾实验室检测能力范围
1 功率金属氧化物场效应管 1 漏源间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只测： -3.5kV～3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测： -3.5kV～3.5kV
2 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测： 0～10k&﹟8486;,,0～1500A
3 阈值电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 只测： -10V～10V
4 漏极反向电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测： -100mA～100mA
5 栅极漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测： -100mA～101mA
6 体二极管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测： 0A～1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测： 1ms～1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
10 体二极管反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 10ns～2μs
11 体二极管反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 1nC～100μC
12 栅极电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测： Qg：0.5nC～500nC
13 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
14 栅极串联等效电阻 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测： 0.1Ω～50Ω
15 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只测： Ph：0.1W～250W
16 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 只测： Ph：0.1W～250W
17 输入电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
18 输出电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
19 反向传输电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
20 老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
21 温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 只测： HTRB和HTGB试验
22 间歇功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件D（间歇功率）
23 稳态功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件C（稳态功率）
2 二极管 1 反向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4 只测： 0～100mA
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 只测： 0～100mA
2 反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2 只测： 0～3.5kV
3 正向压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测： IS：0A～6000A
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 只测： IS：0A～6000A
4 浪涌电流 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066 只测： If：0A～9000A
5 反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 1nC～100μC
反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 10ns～2us
6 二极管反压变化率 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476 只测： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A
7 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064 只测： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A
稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136 只测： Ph：0.1W～80W
8 总电容电荷 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
9 结电容 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
3 晶闸管 1 门极触发电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 只测： 100nA～500mA
2 门极触发电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 只测： 5mV～5V
3 维持电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 只测： 10μA～1.5A
4 擎住电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 只测： 10μA～1.5A
5 浪涌电流 半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013 只测： ITSM：0A～9000A
6 正向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1 只测： 1nA～100mA
7 反向漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1 只测： 1nA～100mA
8 正向导通压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1 只测： IT：0～6000A
9 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181 只测： Ph：0.1W～250W
4 晶体管 1 直流增益 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1 只测： 1～50000
2 集射极饱和压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071 只测： 0～1250A
3 集射电极关态电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1 只测： 0～100mA
4 集基电极关态电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1 只测： 0～100mA
5 射基极关态电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1 只测： 0～100mA
6 集射极反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 只测： -3.5kV～3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 只测： -3.5kV～3.5kV
7 集基极反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 只测： -3.5kV～3.5kV
8 射基极反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 只测： -3.5kV～3.5kV
9 基射极电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 只测： 0V～1250A
10 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6 只测： Ph：0.1W～250W
5 绝缘栅双极型晶体管 1 集射间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-