回收并维修施耐德PLC:140CRP31200
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碳化硅在利用强度很高的绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以利用单晶硅无法使用的肖特基势垒二极管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子累加，***终帮助实现高速的开关动作。
有着优异特性的碳化硅 优异的散热效果
优异的散热效果
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
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家电用 600V/15A?25A 超小型全SiC DIPIPM的优点
搭载SiC-MOSFET，能够降低通态阻抗，与已有产品*相比，功率损耗约减少70％
反向恢复电流变小，降低系统运行噪音
集成丰富功能，如自举电路、温度输出等
采用独有的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片，门极驱动无需负压关断
确保封装和引脚布局与已有产品*的兼容性，直接更换可提高系统性能
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: 本公司产超小型DIPIPM系列
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较
功率损耗比较
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2019-04-26 |
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