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T5557是美国Atmel公司生产的多功能非接触式R/W辨识集成电路，适用于125KHZ频率范围。芯片需要连接一个天线线圈，该线圈被视为芯片电路的电力驱动补给和双向信息的沟通接口，天线和芯片构成感应卡或标签。
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1 T5557芯片具有以下主要特性：
* 具有75pF的片上谐振电路电容；
* 7×32bit EEPROM数据存储器（包含32bit的密码存储器）；
* 独立的64位可追踪数据存储器；
* EEPROM中的配置存储器可能设置芯片工作参数；
* 数据速率可在RF/2和RF/128之间的以2的幂次可选；
* 编码方式：NRZ、曼彻斯特及Biphase码；
* 调制方式：FSK、PSK、直接；
* 具有请求应答（AOR）、密码、常规读、直接访问等多种工作模式；
* 具有写保护特性；
* OTP（一次可编程）功能。


T5557是美国Atmel公司生产的多功能非接触式R/W辨识集成电路，适用于125KHZ频率范围。芯片需要连接一个天线线圈，该线圈被视为芯片电路的电力驱动补给和双向信息的沟通接口，天线和芯片构成感应卡或标签。

（1）. T5557芯片具有以下主要特性：
* 具有75pF的片上谐振电路电容；
* 7×32bit EEPROM数据存储器（包含32bit的密码存储器）；
* 独立的64位可追踪数据存储器；
* EEPROM中的配置存储器可能设置芯片工作参数；
* 数据速率可在RF/2和RF/128之间的以2的幂次可选；
* 编码方式：NRZ、曼彻斯特及Biphase码；
* 调制方式：FSK、PSK、直接；
* 具有请求应答（AOR）、密码、常规读、直接访问等多种工作模式；
* 具有写保护特性；
* OTP（一次可编程）功能。
（2）. T5557的应用系统构成T5557的典型应用系统构成图如图1所示。图中，读写器向T5557（亦称之为tag）传送射频能量和读写命令，同时接收T5557芯片以负载调制方式送来的数据信号。
（3）. 内部组成及工作原理
3．1 内部组成电路实际上，T5557芯片的内部电路组成框图也示于图1，从图中可以看出，它由模拟前端、写解码、比特率产生器、调制器、模式寄存器、控制器、存储器、编程用高压产生器、测试逻辑等电路构成。其中：模拟前端电路主要完成芯片模拟信号的处理和变换，包括电流产生、时钟提取、载波中断（空隙gap）检测、负载调制、ESD保护等电路；写解码电路主要在读写器向芯片写数据时，用来解读有关写操作码，并对写数据流进行校验；HV产生器可产生对EEPROM进行编程写入所需的高电压；控制器主要完成四种功能，一是在上电（POR）有效后及读期间，用配置存储器数据（在EEPROM的块0中，见后述）装载模式寄存器，以***芯片按设置方式工作。二是控制对存储器的访问。三是处理写命令和数据写入。四是在密码模式中，将接收操作码后的32位值与存贮的密码进行比较和判别；调制器用于实现FSK、PSK调制；T5557具有330位EEPROM存储器，其结构如图2所示，分为页0和页1两页。页0的块0是配置存储器。每块的位0是块锁存位，一旦锁存置位，本块（包括锁存位）不能通过射频再次编程。T5557中EEPROM的可追踪数据是指Atmel在生产制造测试过程所保留的众多识别数据，可供查询，这是e555x系列没有的。