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广州回收AVAGO芯片家电IC 在一些非挥发性存储器如相变存储器（Phase-Change Memory；PCM）、磁阻存储器（ Resistive Memory；M-RAM）、电阻存储器（Resistive Memory；RRAM）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，DDR4将可能是末代的DDR存储器，届时电脑与软体结构将会出现极为剧烈的变动。
　　NAND Flash逼近制程物理以提升容量密度
　　以浮闸式（Floating Gate）半导体电路所设计的NAND Flash非挥发性存储器，随着Flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。
　　Micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体NAND Flash容量应用的年复合成长率可达51%。2013年，美光（Micron）与SK Hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的NAND Flash存储器技术，而东芝（Toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关NAND Flash存储器芯片产品。