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CHIPLINK/芯联IC芯片回收收购 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前 先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的,而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除nand器件是以8～32kb的块进行的,执行相同的操作多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时), 的擦除操作 在基于nor的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时, 权衡以下的各项因素。
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2021-09-08 |
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