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大量回收爱特美尔Atmel芯片 DDR4以前瞻性的高传输速率、V- 低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站／伺服器以及桌上型电脑平台，并与LP-DDR3存储器将同时存在一段时间；至于NAND Flash快闪存储器也跨入1x纳米制程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（Program Erase；P/E）来抢占要求耐受度的军方与工控市场，而C/P值高的TLC从随碟、记忆卡的应用导向低端SSD…
　　DDR4伺服器先行 2016超越DDR3成为主流
　　处理器（CPU）、绘图芯片（GPU）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（Dynamic RAM；DRAM）的规格进化。从非同步的DIP、EDO DRAM，到迈向同步时脉操作的SDRAM开始，以及讯号上下缘触发的DDR/DDR2/DDR3/DDR4存储器，甚至导入20纳米与新型态的Wide I/O介面以降低讯号脚位数与整体功耗。
　　处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从DIP、EDO、SDRAM到DDR/DDR2/DDR3/DDR4。Samsung/Micron/Intel
　DDR4较以往不同的是改采VDDQ的终端电阻设计，V- 目前计划中的传输速率进展到3，200Mbps，比目前高速的DDR3-2133传输速率快了50%，将来不排除直达4，266Mbps；Bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一DDR4存储器模组，容量就可达到16GB容量。
　　而DDR4运作电压仅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20%，也比DDR3L的1.35V还低，更比目前x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V还要低，再加上DDR4一次支援深度省电技术（Deep Power Down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新DIMM上的单一存储器颗粒，减少35%~50%的待机功耗。
　　将来迈入20纳米制程时，会导入3D立体堆叠加矽钻孔（3D Stacks+TSV）封装技术，以及针对绘图芯片、移动设备提出低脚位数的Wide I/O，来提升DRAM存储器单位容量与频宽。
　　英特尔将分别把DDR4规格导入伺服器／工作站平台，以及桌上型电脑平台（High-End DeskTop；HEDT）。前者是伺服器处理器XEON E5-2600处理器（代号Haswell-EP），搭配的DDR4存储器为2，133Mbps（DDR4-2133）；后者则是预定第三季推出的8核心Intel Core i7 Extreme Edition处理器，同样搭配DDR4-2133存储器，以及支援14组USB 3.0、10组SATA6Gbps的X99芯片组，成为2014第4季至2015年上半年英特尔强悍的桌上型电脑平台组合。
　　而超微（AMD）下一代APU（代号Carrizo）已延迟至2015年登场，但其存储器支援性仍停留在DDR3。至于移动设备部份，安谋（ARM）针对伺服器市场打造的64位元Cortex-A57处理器核心，已预留对DDR4存储器支援，而第三方IP供应商也提供了相关的DDR4 PHY IP。
　　三星于2013年底量产20纳米制程的4GB存储器颗粒，将32GB的存储器推向伺服器市场；2014年1月推出移动设备用的低功耗DDR4（LP-DDR4）。SK海力士在2014年4月借助矽钻孔（TSV）技术，开发出单一DDR4芯片外观、容量达128GB。市场预料DDR4将与DDR3（DDR3L、LP-DDR3）等共存一段时间，预计到2016年才会超越DDR3而成为市场主流。