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深圳回收原装小盘子单片机flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前 先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时), 的擦除操作 在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师 权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 W83977TF-A W83977TF-A W W83C553F-G W83L351YG W83L771A WG W88227F W89C92P W89C940F W91030BS
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W9812G6GH-6 W9812G6GH-75 W9812G6IH-6 W9812G6JH-6 W9812G6JH-75 W981616AH-7 W981616BH-6 W981616BH-7 W981616CH-6 W981616CH-7 W9816G6CB-7 W9816G6CH-6
W9816G6CH-7 W9816G6XH-6 W982516CH-75 W9825G6CH-75 W9825G6DH-6 W9825G6DH-75 W9825G6EH-6 W9825G6EH-75 W9825G6JH W9825G6JH-6I W986416DH-6 W986416DH-7
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包装： |
| 日期： |
2021-04-14 |
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