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分立器件IGBT,MOS图示仪

分立器件IGBT,MOS图示仪


报价:  199元/台
单位: 西安易恩电气科技-167.net必赢(中国)官方网站·App Store
姓名: 李想
电话: 15249202572
 
系统概述
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,IV曲线自动生成,也可根据实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,***了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,
通过USB或者RS232与电脑连接,通过友好的人机界面操作,即可完成测试。并实现结果以EXCEL和WORD的格式保存。提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。
应用领域

域 ***院所、 高校、半导体器件生产厂商、
数控系统、 电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修 等 ……
使
用 测试分析 /器件选型
筛选检验/生产线自动批量测试等…… 。
技术指标
主极参数 控制极参数
指标 标配 指标 标配
①主极电压 1mV-2000V ①控制极电压: 100mV-20V
②电压分辨率: 1mV ②电压分辨率: 1mV
③主极电流: 0.1nA-50A ③控制极电流: 100nA-10A
④电流分辨率: 0.1nA
⑤测试精度: 0.2%+2LSB
⑥测试速度: 0.5mS/参数
测试范围 / 测试参数
序号 测试器件 测试参数
01 绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;
VGEON;VF;GFS
02 MOS场效应管&﹟160;
MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;&﹟160; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;
VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
03 J型场效应管
J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;
IDSS;GFS;VGSOFF
04 二极管
DIODE IR;BVR ;VF
05 晶体管
(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;
BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
06 双向可控硅
TRIAC VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
07 可控硅
SCR IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;
IGT;VGT;IL;IH
08 硅触发可控硅
STS IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;
VPK-;VGSW+;VGSW-
09 达林顿阵列
DARLINTON ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;
BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;
VCESAT; VBESAT;VBEON
10 光电耦合
OPTO-COUPLER ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;
CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
11 稳压、齐纳二极管
ZENER IR;BVZ;VF;ZZ
12 三端稳压器
REGULATOR Vout;Iin;
13 光电开关
OPTO-SWITCH ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
14 光电逻辑
OPTO-LOGIC IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
15 金属氧化物压变电阻
MOV ID+&﹟160;ID-;VN+;&﹟160; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
16 固态过压保护器
SSOVP ID+&﹟160;ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、
IH-;;IBO+ IBO-;VBO+&﹟160; VBO-;VZ+&﹟160; VZ-
17 压变电阻
VARISTOR ID+;&﹟160; ID-;VC+&﹟160;&﹟160; ;VC-
18 双向触发二极管 /DIAC VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,


规格:  800x800
数量:  100 包装:
日期:  2019-12-03  
 
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