半导体器件间歇寿命试验系统 |
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半导体器件间歇寿命试验系统
ST-PC_X
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的
&﹟9830;产品简述
&﹟160; &﹟160; &﹟160; 半导体器件间歇寿命试验系统是依据 GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 标准要求对器件测试，将栅极与发射极短接，在集电极与发射极间加上设定的直流电压，同时检测直流电压与漏电流的值。测试需有传感器直接检测 IGBT 模块壳温，并可通过软件输入模块结壳热阻，结合产生的耗散功率，当温度与漏电流超过设定值后，切断电源，给出警告信号。此设备是电力电子器件环境老化测试的重要检测设备，用于验证长期稳定情况下器件的漏电流。系统*大测试电压5000V（可扩展至10KV）。可以实现对IGBT器件集电极-发射极电压Vce、集电极发射极电流Ices、壳温Tc 、时间等各项参数的检测，根据程序设定自动完成测试，记录保存测试数据并且可以浏览和导出。
&﹟160; &﹟160; &﹟160; 测试夹具采用气动控制单面加热型。工作时通过温控仪和其他控制系统设定温度和时间，具备自动检测温度、超温报警、超压报警、过流保护及安全连锁、紧停等功能，异常时切断主电源
&﹟9830;产品简述
&﹟61656; 可以通过计算机设定试验参数（Vce、Ices、Tc、时间、采样周期）和监控参数（Vce、Ice、Tc、T，实时采集并记录试验过程中每个工位的温度（Tc）、时间、电压、漏电流等，并可随时浏览数据。
&﹟61656; 当被测器件失效时（Ices超限），系统能自动检测、报警，并可及时切断高压电源（不需要中断加热），停止试验，该失效点的详细数据会被记录下来，并记录失效时间节点。
&﹟61656; 试验数据保存可以设定保存的时间间隔，设定时间范围为：10s-600s，但当器件检测失效时，可以自动保存失效前至少一个采样时间周期的详细数据，有助于对器件失效进行分析。
&﹟61656; 该系统采用计算机记录测试结果，并可以将测试结果转换为“EXCEL”并保存。
&﹟61656; 安全防护1：该设备具有超温保护、安全联锁等。
&﹟61656; 安全防护2：配备独立于温控系统的干触点超温保护装置，在电路的发热位置配温度传感器，一旦有异常超温现象，发出警报并自动切断设备电源。
&﹟61656; 安全防护3：设备操作门配有安全连锁开关，操作面板配置急停开关，***测试及设备维护时人员安全。
&﹟9830;电气原理图
半导体器件间歇寿命试验系统依据GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 对器件进行测试。原理图如下所示
&﹟160; &﹟160; &﹟160; 说明：将被测IGBT栅极与发射极短接，在集电极与发射极间加上设定的直流电压，同时检测直流电压与漏电流的值，输出给隔离板并反馈给计算机，来显示实时的电压和电流值。测试过程中有温度传感器直接检测 IGBT 模块壳温，通过模拟隔离板后反馈给计算机实时温度。
&﹟160;&﹟160; &﹟160; &﹟160;其中，被测两端的电压可以通过计算机程序控制输出给高压直流电源。漏电流和温度的保护值可以通过计算机程序设定，如达到设定保护值，设备控制系统保护，并通过计算机程序主页面下的故障显示和面板保护指示灯显示。
&﹟9830;参数指标
半导体器件间歇寿命试验系统
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
| 规格： |
0 |
| 数量： |
99 |
包装： |
| 日期： |
2019-06-17 |
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