167.net必赢(中国)官方网站·App Store

MOSFET动态参数测试仪
ST-AC1200_X

用于测试器件级的&﹟160;Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数

1200V/100A，短路电流2500A

替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300


&﹟9830; 技术规格

基础能力
*大输出能力：电压1200V电流200A
*小时间测量值：0.1ns
Windows系统的控制计算机
LabVIEW软件界面
物理规格
单机尺寸：800×800×1800mm
质 量：165kg
系统功耗：200w
&﹟160;
ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美***750
方法为3472
脉宽：0.1us~100us步进0.1μs
栅极电压：0~20V，分辨率0.1V
栅极电流*大10A
漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）
占空比小于0.1%
VDD/漏极电压 &﹟160;5V~100 V分辨率0.1V
&﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160;100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美***750
方法3473
IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
&﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160;50~200A@0.5A分辨率
di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS&﹟160; 1.0A/ns Steps
VR/反向电压：20~1200V
IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
占空比：＜1.0% 西安天光测控
TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us
VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
&﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; 100V~1200 V，1.0V Steps
Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC
ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元&﹟160;&﹟160;&﹟160;
美***750，
方法3471
栅极电流：0~10mA@10uA分辨率
栅级电压：0~20V@0.1V分辨率
漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率
分辨率 西安天光测控
漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
&﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160;100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美***750，
方法3477
漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率
分辨率 西安天光测控
电感：0.1mH至159.9mH（外挂）
栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
漏极电压：5V~100V，0.1V Steps
，1.0V Steps
ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美***750，
方法3479
*大电流：标配200A（选配1000A）
脉宽：1us~100us
栅极电压：0~20V@0.1V分辨率
漏极电压5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元
JEDEC Std
JESD24-11
Rg/栅电阻：0.1~100Ω 西安天光测控
结电容参数：Ciss，Coss，Crss
漏极偏置电压：1200V*大
栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率
频率：标配0.1MHZ~1MHZ
电网环境
AC220V±10%，50Hz±1Hz。 西安天光测控

MOSFET动态参数测试仪主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。
&﹟160;资料说明：

对比内容：半导体分立器件动态参数测试系统
对比厂商：美国ITC公司（下文简称ITC）、西安天光测控技术-167.net必赢(中国)官方网站·App Store（下文简称西安天光）
对比型号：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X
&﹟160; &﹟160;MOSFET动态参数测试仪&﹟160;以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体”为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体”表示双方指标一致。

美国ITC公司
ITC57300 西安天光测控技术-167.net必赢(中国)官方网站·App Store
ST-AC1200_X
基础能力
*大输出能力：电压1200V电流200A
*小时间测量值：1.0ns
Windows系统的控制计算机
LabVIEW软件界面
西安天光测控
物理规格
高=76英寸
宽=44英寸(包括显示器和键盘)
深=50英寸(包括接收器)
重=550磅
ITC57210 开关时间（阻性）
测试单元 美***750
方法为3472
脉宽：0.1μs~10μs 步进0.1μs
栅极电压±20V分辨率0.1V
栅极电流*大1.0A
漏极电流*大200A
占空比小于0.1%
VDD/漏极电压 &﹟160;5V~100 V分辨率0.1V
&﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; 100 V~1200V分辨率1.0V
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57220 反向恢复
特性测试单元 美***750
方法3473
IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率
分辨率
di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS&﹟160; 1.0A/ns Steps
VR/反向电压：20~1200V
IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
占空比：＜1.0%
TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0us
VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
Qrr/反向恢复电荷：1nc~100uC
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57230 栅电荷
测试单元 美***750
方法3471
栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率
中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率
20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率
栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率
漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率
分辨率
漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57240 开关时间（感性）
测试单元 美***750
方法3477
漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率
分辨率
电感：0.1mH至159.9mH
栅极电压：±20V@0.1V分辨率
漏极电压：5V~100V，0.1V Steps
，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57250 短路特性
测试单元 美***750
方法3479
*大电流：1000A
脉宽：1us~100us
栅驱电压：±20V@0.1V分辨率
漏极电压5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57260 栅电阻结电容
测试单元 JEDEC Std
JESD24-11
Rg/栅电阻：0.1~50mΩ
结电容参数：Ciss，Coss，Crss
漏极偏置电压：1200V*大
栅极偏置电压：±20V
频率：0.1MHZ~4MHZ
电网环境
220V 50~60 Hz单相 &﹟160;可选择240V
220V/12A&﹟160; 20A&﹟160; 30A
水印签字*西安天光测控*水印签字
基础能力
*大输出能力：电压1200V电流200A
*小时间测量值：0.1ns
Windows系统的控制计算机
LabVIEW软件界面
水印签字*西安天光测控*水印签字
物理规格
单机尺寸：800×800×1800mm
质 量：165kg
系统功耗：200w
ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;
美***750
方法为3472
脉宽：0.1us~100us步进0.1μs
栅极电压：0~20V，分辨率0.1V
栅极电流*大10A
漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）
占空比小于0.1%
VDD/漏极电压 &﹟160;5V~100 V分辨率0.1V
&﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160; &﹟160;100 V~1200V分辨率1.0V
水印签字*西安天光测控*水印签字
ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;&﹟160;
美***750
方法3473
IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
50~200A@0.5A分辨率
di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS&﹟160; 1.0A/ns Steps
VR/反向电压：20~1200V
IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。
占空比：＜1.0%
TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us
VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC
水印签字*西安天光测控*水印签字
ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元&﹟160;&﹟160;&﹟160;
美***750，
方法3471
栅极电流：