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半导体器件静态参数测试
半导体器件静态参数测试

报价：  188元/台
单位： 西安易恩电气科技-167.net必赢(中国)官方网站·App Store
姓名： 李想
电话： 15249202572
 
1.3.1加电容前可测试的参数
表格1.3可测量的mosfet静态参数
参数名称 符号 参数名称 符号
门极开启电压 VGS(th) 集射极耐压 VDS
集射极漏电流 IDSS 栅极漏电流 IGSS
表格1.4可测量的mosfte其他参数
参数名称 符号 参数名称 符号
二极管反向电压 Vsd 额定电阻 R25
雪崩电流 I 雪崩电压 V
雪崩能量 E


规格：  800×800×
数量：  100 包装：无
日期：  2019-01-24  
 
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