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美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪

美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪


报价:  188元/台
单位: 西安易恩电气科技-167.net必赢(中国)官方网站·App Store
姓名: 李想
电话: 15249202572
 
美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪
西安厂家直供大功率MOS动静态测试系统
规格环境
A. 环境温度: 25±10℃,
B. 相对湿度: 湿度不大于65%
C. 大气压力: 86Kpa~ 106Kpa
D. 工作电压:三相五线制AC 380V±10%,或者单相三线制AC 220V±10%
E. 电网频率: 50Hz±1Hz
F. 压缩空气: 0.4~0.6Mpa
G. 防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
功能简介
此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。
开关时间测试单元
开启延迟时间(Td(on)) 上升时间(Tr)
关断延迟时间(Td(off)) 下降时间(Tf)
开启损耗Eon 关断损耗Eoff
二极管反向恢复测试单元
反向恢复时间(Trr) 反向恢复电荷(Qrr)
栅极电荷测试单元
阈值电荷(Qg(th)) 栅电荷(Qg)
静态全参数测试单元
RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25
雪崩测试单元
雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)
测量的MOSFET动态参数
参数名称 符号 参数名称 符号
开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)
上升时间 tr 下降时间 tf
开通时间 ton 关断时间 toff
开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff
栅极电荷 Qg 拖尾时间 tz

测量的DIODE动态参数
参数名称 符号 参数名称 符号
反向恢复时间 trr 反向恢复电荷 Qrr


规格:  800×800×
数量:  100 包装:
日期:  2018-09-07  
 
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